CVD是一種氣相物質(zhì)在高溫下通過(guò)低化學(xué)反應而生成固體物質(zhì)并沉積在基板上的成膜方法。具體的說(shuō)揮發(fā)性的金屬鹵化物和金屬有機化合物等與H2,Ar或N2等遠載氣體混合后,均勻的送到反應室的高溫基板上,通過(guò)熱解還原,氧化,水解,歧化,聚合等化學(xué)反應。
CVD系統由沉積溫度控件、沉積反應室、真空控制部件和氣源控制備件等部分組成亦可根據用戶(hù)需要設計生產(chǎn)，除了主要應用在碳納米材料制備行業(yè)外，現在正在使用在許多行業(yè)，包括納米電子學(xué)、半導體、光電工程的研發(fā)、涂料等領(lǐng)域 。
CVD系統是利用氣態(tài)化合物或化合物的混合物在基體受熱面上發(fā)生化學(xué)反應，從而在基體表面上生成不揮發(fā)涂層的一種薄膜材料制備系統。
CVD系統產(chǎn)品的特點(diǎn)：
1.兼容、常壓、微正壓多種主流的生長(cháng)模式；
2.可以在1000Pa-0.1Pa之間任意氣壓下進(jìn)行石墨烯的生長(cháng)；
3. 使用計算機控制，可以設置多種生長(cháng)參數；
4.可以制備高質(zhì)量，大面積石墨烯等碳材料，尺寸可達數厘米，研究動(dòng)力學(xué)過(guò)程；
5. 沉積效率高；薄膜的成分精確可控，配比范圍大；厚度范圍廣，由幾百埃至數毫米，可以實(shí)現厚膜沉積且能大量生產(chǎn)。
CVD系統的產(chǎn)品用途：
適用于CVD工藝，如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導電率測試、ZnO納米結構的可控。
關(guān)注微信